无效分析是芯片设计关键步骤，无论针对批量生产样品或是设计方案阶段亦或是客退品，无效分析可以协助控制成本，减少周期时间。

普遍的无效分析方式有Decap，X-RAY，IV，EMMI，FIB，SEM，EDX，Probe，OM，RIE等，由于无效分析机器设备价格昂贵，绝大多数要求企业配不上或配参差不齐必须的机器设备，因而使用外力作用，应用扩大开放的資源，来进行自身的分析也是一种有效的挑选。大家决定去外边时必须提前准备的信息内容都有哪些呢？下边为各位梳理一下：

一、decap：写清样品尺寸，总数，封装类型，材料，开封市规定（若在pcb板上，较好是提早拆下来，pcb板子面比较大有凸起，会危害对集成ic的维护）后面实验。

1.IC开封市（正脸/反面） QFP， QFN， SOT，TO， DIP，BGA，COB等

2.样品薄化（瓷器，金属材料以外）

3.激光打标

4.集成ic开封市（正脸/反面）

5.IC蚀刻加工，塑封膜体除去

二、X-RAY：写清样品尺寸，总数，材料（密度大的能够看见，相对密度小的立即透过），关键观查地区，精密度。

1.观察DIP、SOP、QFP、QFN、BGA、Flipchip等不一样封装形式的半导体材料、电阻器、电容器等电子元件及其中小型PCB印刷线路板

2.观察元器件內部集成ic尺寸、总数、叠 ** 、绑线状况

3.观察集成iccrack、自动点胶机不均匀、断开、搭线、內部汽泡等封装形式

缺点，及其焊锡丝球喷焊、脱焊等铸造缺陷

三、IV：写清引脚总数，封装类型，通电方法，电流电压限定范畴。试验工作人员必须事先确定构建合适的分析自然环境，若样品不适宜就*白跑一趟了。

1.Open/Short Test

2.I/V Curve Analysis

3.Idd Measuring

4.Powered Leakage（走电）Test

四、EMMI：写清样品通电方法，电流电压，是不是裸 ** ，是否早已开封市，特别要求等，EMMI是通电，可以联接各种各样源表，确定通电规定，若试验室沒有合适的源表，可以内置，防止做瞎忙。

1.P-N接面走电；P-N接面奔溃

2.饱和状态区电子管的热电子

3.空气氧化层泄露电流造成的光**激起

4.Latch up、Gate Oxide Defect、Junction Leakage、

Hot Carriers Effect、ESD等问题

五、FIB：写清样品尺寸，材料，导电性是不是优良，若尺寸比较大必须事前剪裁。一般样品台1-3cm上下，很大的样品放不进去，也影象精准定位，导电性好的样品分析较快，导电性不太好的，必须协助对策才可以不错的分析。相切观查的，普清相切规定。断线连线写清计划方案，发精准定位文档。

1.集成ic电源电路改动和合理布局认证

2.Cross-Section横截面分析

3.Probing Pad

4.*激光切割

六、SEM：写清样品尺寸，材料，导电性是不是优良，若尺寸比较大必须事前剪裁。一般样品台1-3cm上下，很大的样品放不进去，也影象精准定位，导电性好的样品分析较快，导电性不太好的，必须协助对策才可以不错的分析。

1.原材料表面外貌分析，微区形貌观查

2.原材料样子、尺寸、表面、横断面、粒度遍布分析

3.塑料薄膜样品表面外貌观查、塑料薄膜表面粗糙度及膜厚分析

4.纳米技术尺寸量测及标识

七、EDX：写清样品尺寸，材料，EDX是判定分析，能见到样品的材料和大约占比，合适化学元素分析。

1.微区成份判定分析

八、Probe：写清样品接口测试规定，必须配搭哪些源表，应用哪些探头，一般有硬针和软针，软针偏细，不容易对样品导致二次损害。

1.细微连接功能数据信号引出来

2.无效分析失效确定

3.FIB电源电路改动后电力学特点确定

4.圆晶稳定性认证

九、OM：写清样品状况，对变大倍数规定。OM归属于表面观查，看不见內部状况。

1.样品外型、外貌检验

2.制取样照的金相显微镜分析

3.各种各样缺点的搜索

4.电子管焊接、查验

十、RIE：写清样品材料，必须见到的地区。

1.用以对应用氟基**化学的资料开展各向异性和各种各样蚀刻加工，主要包括碳、环氧树脂胶、高纯石墨、铟、钼、氮氧化合物、光阻剂、聚丙烯腈、石英石、硅、金属氧化物、氮化合物、钽、渗氮钽、氮化钛、钨钛及其钨

2.元器件表面图型的离子注入